Menge | exkl. MwSt | inkl. MwSt |
---|---|---|
1 - 4 | 1.01€ | 1.21€ |
5 - 9 | 0.95€ | 1.14€ |
10 - 24 | 0.90€ | 1.08€ |
25 - 49 | 0.85€ | 1.02€ |
50 - 71 | 0.83€ | 1.00€ |
Menge | U.P | |
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1 - 4 | 1.01€ | 1.21€ |
5 - 9 | 0.95€ | 1.14€ |
10 - 24 | 0.90€ | 1.08€ |
25 - 49 | 0.85€ | 1.02€ |
50 - 71 | 0.83€ | 1.00€ |
2SD667. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 140 MHz. Funktion: Niederfrequenz-Leistungsverstärker. Maximaler hFE-Gewinn: 120. Minimaler hFE-Gewinn: 60. Kollektorstrom: 1A. Ic(Impuls): 2A. Hinweis: 9mm. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: D667. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.9W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Silicon NPN Epitaxial. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92MOD ( 2-5J1A ). Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -50...+150°C. VCBO: 120V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SB647. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 00:25.
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