Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen

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2SD762. RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 60V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 3A. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 25W. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 00:25.

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Halbleitermaterial: Silizium. FT: 3 MHz. Funktion: NF-L. Maximaler hFE-Gewinn: 24. Minimaler hFE-Gewinn: 10. Kollektorstrom: 3A. Ic(Impuls): 5A. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 40W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -...+150°C. VCBO: 100V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.2V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. Vebo: 5V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Spec info: komplementärer Transistor (Paar) TIP32C. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS
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