Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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2SD880-PMC. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 3 MHz. Kollektorstrom: 3A. Pd (Verlustleistung, max): 30W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Transistortyp: NPN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 09:25.

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Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Darlington-Transistor?: NINCS. Menge p...
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Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Darlington-Transistor?: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 3 MHz. Funktion: Komplementärer Leistungstransistor. Maximaler hFE-Gewinn: 30. Minimaler hFE-Gewinn: 15. Kollektorstrom: 6A. Ic(Impuls): 10A. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 65W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Transistortyp: NPN. VCBO: 100V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BD244C. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS
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Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Darlington-Transistor?: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 3 MHz. Funktion: Komplementärer Leistungstransistor. Maximaler hFE-Gewinn: 30. Minimaler hFE-Gewinn: 15. Kollektorstrom: 6A. Ic(Impuls): 10A. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 65W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Transistortyp: NPN. VCBO: 100V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BD244C. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS
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BD243CG

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Kollektorstrom: 6A. Gehäuse: TO-220. Transistortyp: NPN Leistungstransistor. Polarität: NPN. Kolle...
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Kollektorstrom: 6A. Gehäuse: TO-220. Transistortyp: NPN Leistungstransistor. Polarität: NPN. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: 100V. Leistung: 65W. Max Frequenz: 3MHz. Konditionierungseinheit: 50. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 3 MHz. Funktion: NF-L. Ic(Impuls): 10A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 65W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 100V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V
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Kollektorstrom: 6A. Gehäuse: TO-220. Transistortyp: NPN Leistungstransistor. Polarität: NPN. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: 100V. Leistung: 65W. Max Frequenz: 3MHz. Konditionierungseinheit: 50. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 3 MHz. Funktion: NF-L. Ic(Impuls): 10A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 65W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 100V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V
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BD243C-CDIL

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Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Menge pro Karton: 1. Halbleitermateria...
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Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 3 MHz. Funktion: Komplementärer Leistungstransistor. Maximaler hFE-Gewinn: 30. Minimaler hFE-Gewinn: 15. Kollektorstrom: 6A. Ic(Impuls): 10A. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 65W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Transistortyp: NPN. VCBO: 100V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BD244C. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS
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