Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen

2SJ449

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2SJ449. C(in): 1040pF. Kosten): 360pF. Kanaltyp: P. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: SWITCHING, POWER MOS FET. Id(imp): 24A. ID (T=25°C): 6A. IDSS (max): 100uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 35W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.55 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 47 ns. Td(on): 24 ns. Technologie: P-CHANNEL POWER MOS FET. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FP. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 250V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Gate/Source-Spannung (aus) min.: 4 v. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 14/01/2025, 11:25.

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