Menge | exkl. MwSt | inkl. MwSt |
---|---|---|
1 - 1 | 5.57€ | 6.68€ |
2 - 2 | 5.29€ | 6.35€ |
3 - 4 | 5.01€ | 6.01€ |
5 - 9 | 4.73€ | 5.68€ |
10 - 19 | 4.62€ | 5.54€ |
20 - 29 | 4.51€ | 5.41€ |
30+ | 4.34€ | 5.21€ |
Menge | U.P | |
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1 - 1 | 5.57€ | 6.68€ |
2 - 2 | 5.29€ | 6.35€ |
3 - 4 | 5.01€ | 6.01€ |
5 - 9 | 4.73€ | 5.68€ |
10 - 19 | 4.62€ | 5.54€ |
20 - 29 | 4.51€ | 5.41€ |
30+ | 4.34€ | 5.21€ |
2SJ598. C(in): 720pF. Kosten): 150pF. Kanaltyp: P. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 50 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: integrierte Schutzdiode. Id(imp): 30A. ID (T=25°C): 12A. IDSS (max): 12A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 23W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.13 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 35 ns. Td(on): 7 ns. Gehäuse: TO-251 ( I-Pak ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-251 ( I-Pak ). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 60V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Technologie: P-Kanal-MOS-Feldeffekttransistor. G-S-Schutz: ja. Bestandsmenge aktualisiert am 15/01/2025, 10:25.
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