Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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2SK2129

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2SK2129. C(in): 730pF. Kosten): 90pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: High-speed switching--tf = 50ns. Id(imp): 6A. ID (T=100°C): 2A. ID (T=25°C): 3A. IDSS (max): 0.1mA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: K2129. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 50W. Einschaltwiderstand Rds On: 3.2 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 160 ns. Td(on): 35 ns. Technologie: Power F-MOS FET. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Spannung Vds(max): 800V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 2V. Drain-Source-Schutz: NINCS. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 15/01/2025, 13:25.

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