Menge | exkl. MwSt | inkl. MwSt |
---|---|---|
1 - 1 | 7.13€ | 8.56€ |
2 - 2 | 6.78€ | 8.14€ |
3 - 4 | 6.42€ | 7.70€ |
5 - 9 | 6.06€ | 7.27€ |
10 - 19 | 5.92€ | 7.10€ |
20 - 29 | 5.78€ | 6.94€ |
30 - 250 | 5.56€ | 6.67€ |
Menge | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 7.13€ | 8.56€ |
2 - 2 | 6.78€ | 8.14€ |
3 - 4 | 6.42€ | 7.70€ |
5 - 9 | 6.06€ | 7.27€ |
10 - 19 | 5.92€ | 7.10€ |
20 - 29 | 5.78€ | 6.94€ |
30 - 250 | 5.56€ | 6.67€ |
2SC5200. Kosten): 200pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 30 MHz. Funktion: HI-FI-Leistungsverstärker. Maximaler hFE-Gewinn: 160. Minimaler hFE-Gewinn: 80. Kollektorstrom: 15A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: C5200 (Q). Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 150W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Triple Diffused Planar Transistor“. Gehäuse: TO-264 ( TOP-3L ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-264 ( 2-21F1A ). Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -...+150°C. VCBO: 230V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.4V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 230V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SA1943. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 12/01/2025, 15:25.
Informationen und technische Hilfe
Zahlungs-und Lieferbedingungen
Lieferung in 2-3 Tagen, mit Postverfolgung!
Alle Rechte vorbehalten, RPtronics, 2024.