Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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2SK2605

2SK2605
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2SK2605. C(in): 1800pF. Kosten): 105pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Trr-Diode (Min.): 1000 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: High Speed, H.V. Id(imp): 15A. ID (T=25°C): 5A. IDSS (max): 100uA. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 45W. Einschaltwiderstand Rds On: 1.9 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 140 ns. Td(on): 80 ns. Technologie: Field Effect (TT-MOSIII). Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Spannung Vds(max): 800V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. G-S-Schutz: ja. Bestandsmenge aktualisiert am 15/01/2025, 13:25.

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C(in): 1350pF. Kosten): 130pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 840 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 23.2A. ID (T=100°C): 3.65A. ID (T=25°C): 5.8A. IDSS (max): 50uA. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: P6NK90ZFP. Pd (Verlustleistung, max): 30W. Einschaltwiderstand Rds On: 1.56 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 45 ns. Td(on): 17 ns. Technologie: SuperMESH Power MOSFET. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FP. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 900V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Anzahl der Terminals: 3. Funktion: Zenergeschützter Leistungs-MOSFET-Transistor. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: ja
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