Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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2SK3502-01MR

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2SK3502-01MR. C(in): 1200pF. Kosten): 140pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Trr-Diode (Min.): 0.75us. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Schaltnetzteile (SMPS). Id(imp): 40A. ID (T=25°C): 10A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 70W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.58 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 35 ns. Td(on): 17 ns. Technologie: Super FAP-G Series POWER MOSFET. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Spannung Vds(max): 600V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Anzahl der Terminals: 3. Hinweis: Panasonic--B1CERR000022. Menge pro Karton: 1. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 15/01/2025, 16:25.

Technische Dokumentation

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C(in): 850pF. Kosten): 44pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Trr-Diode (Min.): 130 ns....
STF11NM60ND
C(in): 850pF. Kosten): 44pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Trr-Diode (Min.): 130 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: LOW INPUT CAPACITANCE, RESISTANCE AND GATE CHARGE. Id(imp): 40A. ID (T=100°C): 6.3A. ID (T=25°C): 10A. IDSS (max): 100uA. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 11NM60ND. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 25W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.37 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 50 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: MDmesh II POWER MOSFET. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FP. Spannung Vds(max): 600V. Gate/Source-Spannung Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 50. Spec info: HIGH dv/dt AND AVALANCHE CAPABILITIES. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS
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C(in): 850pF. Kosten): 44pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Trr-Diode (Min.): 130 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: LOW INPUT CAPACITANCE, RESISTANCE AND GATE CHARGE. Id(imp): 40A. ID (T=100°C): 6.3A. ID (T=25°C): 10A. IDSS (max): 100uA. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 11NM60ND. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 25W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.37 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 50 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: MDmesh II POWER MOSFET. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FP. Spannung Vds(max): 600V. Gate/Source-Spannung Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 50. Spec info: HIGH dv/dt AND AVALANCHE CAPABILITIES. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS
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