Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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MDF11N60TH

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MDF11N60TH. C(in): 1700pF. Kosten): 184pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 430 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 44A. ID (T=100°C): 6.9A. ID (T=25°C): 11A. IDSS (max): 1uA. IDss (min): 1uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 49W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.45 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 76 ns. Td(on): 38 ns. Technologie: Cool Mos POWER transistor. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO220F. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 600V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Funktion: SMPS, Hochgeschwindigkeitsschaltung. Spec info: Ultra Low Gate Charge. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 17:25.

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MDF11N60TH

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C(in): 1700pF. Kosten): 184pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 430 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp)...
MDF11N60TH
C(in): 1700pF. Kosten): 184pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 430 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 44A. ID (T=100°C): 6.9A. ID (T=25°C): 11A. IDSS (max): 1uA. IDss (min): 1uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 49W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.45 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 76 ns. Td(on): 38 ns. Technologie: Cool Mos POWER transistor. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO220F. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 600V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Funktion: SMPS, Hochgeschwindigkeitsschaltung. Spec info: Ultra Low Gate Charge. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS
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C(in): 1700pF. Kosten): 184pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 430 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 44A. ID (T=100°C): 6.9A. ID (T=25°C): 11A. IDSS (max): 1uA. IDss (min): 1uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 49W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.45 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 76 ns. Td(on): 38 ns. Technologie: Cool Mos POWER transistor. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO220F. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 600V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Funktion: SMPS, Hochgeschwindigkeitsschaltung. Spec info: Ultra Low Gate Charge. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS
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