Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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Halbleiter Dioden Standard- und Gleichrichterdioden

S1M

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S1M. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Oberflächenmontierte Gleichrichterdiode (SMD). Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SMA. Gehäuse (JEDEC-Standard): DO-214AC. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Vorwärtsstrom [A]: 1A. Ifsm [A]: 32A. Durchlassspannung Vfmax (V): 1.1V @ 1A. Schließspannung (wiederholend) Vrrm [V]: 1 kV. Leckstrom beim Schließen Ir [A]: 5uA..50uA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Originalprodukt vom Hersteller Diotec. Bestandsmenge aktualisiert am 04/09/2025, 04:56.

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S1M-FAI

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Vorwärtsstrom (AV): 1A. IFSM: 30A. Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): SMA DO214AC. VRRM:...
S1M-FAI
Vorwärtsstrom (AV): 1A. IFSM: 30A. Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): SMA DO214AC. VRRM: 1000V. Cj: 12pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 1.8us. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Allzweck-Gleichrichterdioden. Hinweis: Siebdruck/SMD-Code 1M. Hinweis: Gehäuse 4,6x2,7mm. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 1 M. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: IFSM--30Ap t=10mS. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V
S1M-FAI
Vorwärtsstrom (AV): 1A. IFSM: 30A. Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): SMA DO214AC. VRRM: 1000V. Cj: 12pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 1.8us. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Allzweck-Gleichrichterdioden. Hinweis: Siebdruck/SMD-Code 1M. Hinweis: Gehäuse 4,6x2,7mm. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 1 M. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: IFSM--30Ap t=10mS. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V
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LL4148-TSC

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Vorwärtsstrom (AV): 0.2A. IFSM: 2A. Gehäuse: 12.7k Ohms. Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-80 ( 3.4x...
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N-Kanal-Transistor, 2.5A, 4A, 4A, 1.76 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. ID (T=100°C): 2.5A. ID (T=25°C)...
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Ausgangsstrom: 1.5A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Fest/einstellbar: Einstel...
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IT(RSM) (TC=85°C): 1A. Es ist M: 8A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. VDRM: 600V...
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