Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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2SK3679

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2SK3679. C(in): 1100pF. Kosten): 140pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 3.2us. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 36A. ID (T=25°C): 9A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: K3679. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 95W. Einschaltwiderstand Rds On: 1.22 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 50 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: POWER MOSFET Super FAP-G Series. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Spannung Vds(max): 900V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 15/01/2025, 16:25.

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FQPF9N90C

FQPF9N90C

C(in): 2100pF. Kosten): 175pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Trr-Diode (Min.): 550 ns. Tr...
FQPF9N90C
C(in): 2100pF. Kosten): 175pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Trr-Diode (Min.): 550 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 32A. ID (T=100°C): 2.8A. ID (T=25°C): 8A. IDSS (max): 10uA. IDss (min): 10uA. Pd (Verlustleistung, max): 68W. Einschaltwiderstand Rds On: 1.12 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 100 ns. Td(on): 50 ns. Technologie: DMOS, QFET. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 900V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Funktion: Schneller Schalter, niedrige Gate-Ladung 40 nC, niedriger CrSS 14 pF. Spec info: Zero Gate Voltage Drain Current. G-S-Schutz: NINCS
FQPF9N90C
C(in): 2100pF. Kosten): 175pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Trr-Diode (Min.): 550 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 32A. ID (T=100°C): 2.8A. ID (T=25°C): 8A. IDSS (max): 10uA. IDss (min): 10uA. Pd (Verlustleistung, max): 68W. Einschaltwiderstand Rds On: 1.12 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 100 ns. Td(on): 50 ns. Technologie: DMOS, QFET. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 900V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Funktion: Schneller Schalter, niedrige Gate-Ladung 40 nC, niedriger CrSS 14 pF. Spec info: Zero Gate Voltage Drain Current. G-S-Schutz: NINCS
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C(in): 2115pF. Kosten): 190pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 950 n...
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C(in): 2115pF. Kosten): 190pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 950 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Schaltkreise. Id(imp): 32A. ID (T=100°C): 5A. ID (T=25°C): 8A. IDSS (max): 50uA. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: P9NK90Z. Pd (Verlustleistung, max): 160W. Einschaltwiderstand Rds On: 1.1 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 55 ns. Td(on): 22 ns. Technologie: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 900V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. G-S-Schutz: ja
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C(in): 2115pF. Kosten): 190pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 950 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Schaltkreise. Id(imp): 32A. ID (T=100°C): 5A. ID (T=25°C): 8A. IDSS (max): 50uA. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: P9NK90Z. Pd (Verlustleistung, max): 160W. Einschaltwiderstand Rds On: 1.1 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 55 ns. Td(on): 22 ns. Technologie: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 900V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. G-S-Schutz: ja
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C(in): 2115pF. Kosten): 190pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 950 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Schaltkreise. Id(imp): 32A. ID (T=100°C): 5A. ID (T=25°C): 8A. IDSS (max): 50uA. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: F9NK90Z. Pd (Verlustleistung, max): 40W. Einschaltwiderstand Rds On: 1.1 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 55 ns. Td(on): 22 ns. Technologie: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO220FP. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 900V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: ja
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C(in): 2115pF. Kosten): 190pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 950 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Schaltkreise. Id(imp): 32A. ID (T=100°C): 5A. ID (T=25°C): 8A. IDSS (max): 50uA. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: F9NK90Z. Pd (Verlustleistung, max): 40W. Einschaltwiderstand Rds On: 1.1 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 55 ns. Td(on): 22 ns. Technologie: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO220FP. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 900V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: ja
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