Menge | exkl. MwSt | inkl. MwSt |
---|---|---|
1 - 4 | 1.80€ | 2.16€ |
5 - 9 | 1.71€ | 2.05€ |
10 - 24 | 1.62€ | 1.94€ |
25 - 44 | 1.53€ | 1.84€ |
Menge | U.P | |
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1 - 4 | 1.80€ | 2.16€ |
5 - 9 | 1.71€ | 2.05€ |
10 - 24 | 1.62€ | 1.94€ |
25 - 44 | 1.53€ | 1.84€ |
3DD209L. Darlington-Transistor?: NINCS. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 4 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 40. Minimaler hFE-Gewinn: 8:1. Kollektorstrom: 12A. Ic(Impuls): 24A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: D209L. Pd (Verlustleistung, max): 120W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(min): 0.7us. Gehäuse: TO-3PN ( 2-16C1B ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PN. Transistortyp: NPN. VCBO: 700V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.2V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 400V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 02:25.
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