Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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70HF80. Vorwärtsstrom (AV): 70A. Vorwärtsstrom (RMS): 110A. IFSM: 1200A. Gehäuse: DO-203AB ( DO-5 ). Gehäuse (laut Datenblatt): DO-203AB. VRRM: 800V. Konditionierungseinheit: 100dB. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Gehäuse mit der Kathode verbunden. Halbleitermaterial: Silizium. Anzahl der Terminals: 1. RoHS: ja. Montage/Installation: Gewindebefestigung. Betriebstemperatur: -65...+180°C. Schwellenspannung Vf (max): 1V. Durchlassspannung Vf (min): 0.79V. Spec info: Ifsm 1200Ap / 10ms 50Hz (100% Vrrm). Bestandsmenge aktualisiert am 21/04/2025, 07:25.

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Vorwärtsstrom (AV): 70A. Vorwärtsstrom (RMS): 110A. IFSM: 1200A. Gehäuse: DO-203AB ( DO-5 ). GehÃ...
70HF160
Vorwärtsstrom (AV): 70A. Vorwärtsstrom (RMS): 110A. IFSM: 1200A. Gehäuse: DO-203AB ( DO-5 ). Gehäuse (laut Datenblatt): DO-203AB. VRRM: 1600V. Konditionierungseinheit: 100dB. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Gehäuse mit der Kathode verbunden. Verwendet für: kann auch für Solarpanel-Systeme verwendet werden. Halbleitermaterial: Silizium. MRT (maximal): 4.5mA. Anzahl der Terminals: 1. RoHS: ja. Montage/Installation: schrauben. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1V. Durchlassspannung Vf (min): 0.79V. Spec info: IFSM 1000Ap / 10ms 50Hz (100% Vrrm)
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