Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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70HF80. Konditionierungseinheit: 100dB. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Gehäuse mit der Kathode verbunden. Halbleitermaterial: Silizium. Vorwärtsstrom (AV): 70A. Vorwärtsstrom (RMS): 110A. IFSM: 1200A. Anzahl der Terminals: 1. RoHS: ja. Montage/Installation: Gewindebefestigung. Gehäuse: DO-203AB ( DO-5 ). Gehäuse (laut Datenblatt): DO-203AB. Betriebstemperatur: -65...+180°C. Schwellenspannung Vf (max): 1V. Durchlassspannung Vf (min): 0.79V. VRRM: 800V. Spec info: Ifsm 1200Ap / 10ms 50Hz (100% Vrrm). Bestandsmenge aktualisiert am 12/01/2025, 19:25.

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Konditionierungseinheit: 100dB. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Gehäuse mit der Kathode verbunden. Verwendet für: kann auch für Solarpanel-Systeme verwendet werden. Halbleitermaterial: Silizium. Vorwärtsstrom (AV): 70A. Vorwärtsstrom (RMS): 110A. IFSM: 1200A. MRT (maximal): 4.5mA. Anzahl der Terminals: 1. RoHS: ja. Montage/Installation: schrauben. Gehäuse: DO-203AB ( DO-5 ). Gehäuse (laut Datenblatt): DO-203AB. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1V. Durchlassspannung Vf (min): 0.79V. VRRM: 1600V. Spec info: IFSM 1000Ap / 10ms 50Hz (100% Vrrm)
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