AOD403

AOD403. C(in): 4360pF. Kosten): 1050pF. Kanaltyp: P. Konditionierung: Rolle. Drain-Source-Schutz: Diode. Trr-Diode (Min.): 39.5 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 200A. ID (T=100°C): 65A. ID (T=25°C): 85A. IDSS (max): 5uA. IDss (min): 0.01uA. Pd (Verlustleistung, max): 100W. Einschaltwiderstand Rds On: 5.1M Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 51 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: „Anreicherungsmodus-Feldeffekttransistor“. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 30 v. Gate/Source-Spannung Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 3.5V. Vgs(th) min.: 1.5V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 2500. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 12/01/2025, 19:25.