AOD409

AOD409. C(in): 2977pF. Kosten): 241pF. Kanaltyp: P. Konditionierung: Rolle. Trr-Diode (Min.): 40 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 60A. ID (T=100°C): 18A. ID (T=25°C): 26A. IDSS (max): 5uA. IDss (min): 0.003uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: D409. Pd (Verlustleistung, max): 60W. Einschaltwiderstand Rds On: 32m Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 38 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: „Anreicherungsmodus-Feldeffekttransistor“. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 60V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.4V. Vgs(th) min.: 1.2V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 2500. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 15/01/2025, 00:25.