AP9575AGH

AP9575AGH. C(in): 1440pF. Kosten): 160pF. Kanaltyp: P. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 43 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 60A. ID (T=100°C): 11A. ID (T=25°C): 17A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 10uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 36W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.064 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 45 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: „Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET“. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spannung Vds(max): 60V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Betriebstemperatur: -55°C...+150°C. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 00:25.