Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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Halbleiter Transistoren N-Kanal-FETs und MOSFETs

N-Kanal-Transistor, 20A, 32A, 250uA, 0.02 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 40V - AP9962GH

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N-Kanal-Transistor, 20A, 32A, 250uA, 0.02 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 40V - AP9962GH. N-Kanal-Transistor, 20A, 32A, 250uA, 0.02 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 40V. ID (T=100°C): 20A. ID (T=25°C): 32A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.02 Ohms. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spannung Vds(max): 40V. C(in): 1170pF. Kosten): 180pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 24 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Schnelles Schalten, Wechselrichter, Netzteile. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 150A. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 9962GH. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 27.8W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 20 ns. Td(on): 8 ns. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V. Originalprodukt vom Hersteller Advanced Power. Bestandsmenge aktualisiert am 07/06/2025, 17:25.

Technische Dokumentation

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N-Kanal-Transistor, 15.2A, 57A, 1uA, 0.085 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 40V. ID (T=100°C): 15.2A. ID (T=25°C): 57A. IDSS (max): 1uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.085 Ohms. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spannung Vds(max): 40V. C(in): 1970pF. Kosten): 250pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Rolle. Konditionierungseinheit: 2500. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 22 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Schnelles Schalten, Wechselrichter, Netzteile. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 100A. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: FDD8447L. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 44W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 38 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: Power Trench MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V
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