Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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AP9962GH

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AP9962GH. C(in): 1170pF. Kosten): 180pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 24 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Schnelles Schalten, Wechselrichter, Netzteile. Id(imp): 150A. ID (T=100°C): 20A. ID (T=25°C): 32A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 9962GH. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 27.8W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.02 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 20 ns. Td(on): 8 ns. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 40V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 08:25.

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