Menge | exkl. MwSt | inkl. MwSt |
---|---|---|
1 - 4 | 1.71€ | 2.05€ |
5 - 9 | 1.62€ | 1.94€ |
10 - 24 | 1.54€ | 1.85€ |
25 - 49 | 1.45€ | 1.74€ |
50 - 99 | 1.42€ | 1.70€ |
100 - 225 | 1.28€ | 1.54€ |
Menge | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.71€ | 2.05€ |
5 - 9 | 1.62€ | 1.94€ |
10 - 24 | 1.54€ | 1.85€ |
25 - 49 | 1.45€ | 1.74€ |
50 - 99 | 1.42€ | 1.70€ |
100 - 225 | 1.28€ | 1.54€ |
FDS8962C. Kanaltyp: N-P. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 2W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: Dual-MOSFET-Transistor, N- und P-Kanäle, „PowerTrench“. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Menge pro Karton: 2. Funktion: Q1 N-Ch 7A, 30V RDS(on)=0.030 Ohms, Vgs=10V. Spec info: Q2 P-Ch, 5A, 30V RDS(on)=0.052 Ohms, Vgs=10V. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 10:25.
Informationen und technische Hilfe
Zahlungs-und Lieferbedingungen
Lieferung in 2-3 Tagen, mit Postverfolgung!
Alle Rechte vorbehalten, RPtronics, 2024.