Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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BC328-25

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BC328-25. Gehäuse: TO-92. Widerstand B: PNP-Transistor. BE-Widerstand: -30V. C(in): -0.8A. Kosten): 0.63W. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 100 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 400. Minimaler hFE-Gewinn: 160. Kollektorstrom: 0.8A. Ic(Impuls): 1A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Epitaxialer Planartransistor . Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92 ( Ammo Pack ). Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 30 v. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.7V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 30 v. Vebo: 5V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 15/01/2025, 23:25.

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