Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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Halbleiter Transistoren

BC516

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BC516. Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: hFE 3000. Kollektorstrom: 0.4A. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Transistortyp: PNP. VCBO: 40V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 30 v. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BC517. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 03:25.

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Darlington-Transistor?: ja. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 125 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 20000. Minimaler hFE-Gewinn: 5000. Kollektorstrom: 0.5A. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 30 v. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 30 v. Vebo: 10V. Menge pro Karton: 2. Anzahl der Terminals: 3. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS
MPSA64
Darlington-Transistor?: ja. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 125 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 20000. Minimaler hFE-Gewinn: 5000. Kollektorstrom: 0.5A. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 30 v. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 30 v. Vebo: 10V. Menge pro Karton: 2. Anzahl der Terminals: 3. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS
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