NPN-Transistor, 0.1A, TO-92, TO-92, 65V - BC546A

NPN-Transistor, 0.1A, TO-92, TO-92, 65V - BC546A. NPN-Transistor, 0.1A, TO-92, TO-92, 65V. Kollektorstrom: 0.1A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 65V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Konditionierungseinheit: 2000. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 100 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 220. Minimaler hFE-Gewinn: 90. Ic(Impuls): 0.2A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BC556A. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 80V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.09V. Vebo: 6V. Originalprodukt vom Hersteller Toshiba. Bestandsmenge aktualisiert am 07/06/2025, 17:25.