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NPN-Transistor, 100mA, TO-92, TO-92, 30 v - BC558B

NPN-Transistor, 100mA, TO-92, TO-92, 30 v - BC558B
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NPN-Transistor, 100mA, TO-92, TO-92, 30 v - BC558B. NPN-Transistor, 100mA, TO-92, TO-92, 30 v. Kollektorstrom: 100mA. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 30 v. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 150 MHz. Funktion: Umschaltung und NF-Verstärker. Maximaler hFE-Gewinn: 450. Minimaler hFE-Gewinn: 200. Ic(Impuls): 200mA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Epitaxialer Planartransistor . Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 30 v. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.08V. Vebo: 5V. Originalprodukt vom Hersteller Lge Technology. Bestandsmenge aktualisiert am 07/06/2025, 17:25.

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