NPN-Transistor, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), TO-236AB, 65V - BC846B

NPN-Transistor, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), TO-236AB, 65V - BC846B. NPN-Transistor, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), TO-236AB, 65V. Kollektorstrom: 0.1A. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-236AB. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 65V. C(in): 11pF. Kosten): 2pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 300 MHz. Funktion: Allzweck. Maximaler hFE-Gewinn: 450. Minimaler hFE-Gewinn: 200. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 1B. Pd (Verlustleistung, max): 0.25W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Transistortyp: NPN. VCBO: 80V. Vebo: 6V. Spec info: SMD 1B. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 21/04/2025, 20:25.