NPN-Transistor, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 45V - BC847C

NPN-Transistor, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 45V - BC847C. NPN-Transistor, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 45V. Kollektorstrom: 0.1A. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 45V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 4.5pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 100 MHz. Funktion: Allzweck. Maximaler hFE-Gewinn: 800. Minimaler hFE-Gewinn: 250. Pd (Verlustleistung, max): 0.225W. Spec info: Siebdruck/SMD-Code 1G. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Transistortyp: NPN. VCBO: 50V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.25V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.6V. Vebo: 6V. Originalprodukt vom Hersteller Nxp. Bestandsmenge aktualisiert am 07/06/2025, 15:25.