NPN-Transistor, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 65V - BC856B

NPN-Transistor, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 65V - BC856B. NPN-Transistor, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 65V. Kollektorstrom: 100mA. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 65V. Kosten): 4.5pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 100 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 475. Minimaler hFE-Gewinn: 220. Ic(Impuls): 200mA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 3B. Äquivalente: ON Semiconductor BC856BLT1G. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 300mW. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 80V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.065V. Vebo: 5V. Spec info: Siebdruck/SMD-Code 3B. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 21/04/2025, 20:25.