BC856B

Menge (Set mit 10)	exkl. MwSt	inkl. MwSt
1 - 4	0.31€	0.37€
5 - 9	0.29€	0.35€
10 - 24	0.28€	0.34€
25 - 49	0.26€	0.31€
50 - 99	0.25€	0.30€
100 - 149	0.23€	0.28€
150 - 18169	0.22€	0.26€

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5 - 9	0.29€	0.35€
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Set mit 10

BC856B. Kosten): 4.5pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 100 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 475. Minimaler hFE-Gewinn: 220. Kollektorstrom: 100mA. Ic(Impuls): 200mA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 3B. Äquivalente: ON Semiconductor BC856BLT1G. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 300mW. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 80V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.065V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 65V. Vebo: 5V. Spec info: Siebdruck/SMD-Code 3B. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 12/01/2025, 22:25.

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