NPN-Transistor, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V, 100mA - BC857B

NPN-Transistor, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V, 100mA - BC857B. NPN-Transistor, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V, 100mA. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Kollektorstrom: 100mA. Pd (Verlustleistung, max): 0.33W. Spec info: SMD KO0 3F. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Transistortyp: PNP. VCBO: 50V. Vebo: 5V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 150 MHz. Funktion: Allzweck. Ic(Impuls): 200mA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 3F. Anzahl der Terminals: 3. Originalprodukt vom Hersteller Yangjie Electronic Technology. Bestandsmenge aktualisiert am 01/08/2025, 10:25.