NPN-Transistor, 1A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 80V - BCP56-16

NPN-Transistor, 1A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 80V - BCP56-16. NPN-Transistor, 1A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 80V. Kollektorstrom: 1A. Gehäuse: SOT-223 ( TO-226 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-223. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 6pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 180 MHz. Funktion: Audio-, Telefon- und Automobilanwendungen. Maximaler hFE-Gewinn: 250. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Ic(Impuls): 2A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: BCP56/16. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 1.35W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BCP53-16. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 100V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. Originalprodukt vom Hersteller Yangjie Electronic Technology. Bestandsmenge aktualisiert am 08/06/2025, 05:25.