BD237

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BD237. RoHS: ja. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-126. Gehäuse (JEDEC-Standard): SOT-32. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BD237. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 80V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 2A. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 25W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: NPN Leistungstransistor. Grenzfrequenz ft [MHz]: 3 MHz. Kollektorstrom: 2A. Ic(Impuls): 6A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 25W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-126. Transistortyp: NPN. VCBO: 100V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.6V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BD238. Gehäuse: TO-126 (TO-225, SOT-32). Bestandsmenge aktualisiert am 12/01/2025, 23:25.

Technische Dokumentation

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