NPN-Transistor, 2A, TO-220, TO-220, 115V - BD239C

NPN-Transistor, 2A, TO-220, TO-220, 115V - BD239C. NPN-Transistor, 2A, TO-220, TO-220, 115V. Kollektorstrom: 2A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 115V. RoHS: ja. Widerstand B: ja. BE-Diode: NINCS. BE-Widerstand: PCB-Löten. C(in): TO-220AB. Kosten): TO-220AB. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 3 MHz. Funktion: NF-L. Maximaler hFE-Gewinn: 40. Minimaler hFE-Gewinn: 15. Ic(Impuls): 4A. Pd (Verlustleistung, max): 30W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BD240C. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -...+150°C. VCBO: 100V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.7V. Vebo: 5V. Originalprodukt vom Hersteller Stmicroelectronics. Bestandsmenge aktualisiert am 07/06/2025, 15:25.