NPN-Transistor, 2A, TO-220, 100V, TO-220, 115V - BD239C

NPN-Transistor, 2A, TO-220, 100V, TO-220, 115V - BD239C. NPN-Transistor, 2A, TO-220, 100V, TO-220, 115V. Kollektorstrom: 2A. Gehäuse: TO-220. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: 100V. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 115V. Transistortyp: NPN Leistungstransistor. Polarität: NPN. Leistung: 30W. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 3 MHz. Funktion: NF-L. Maximaler hFE-Gewinn: 40. Minimaler hFE-Gewinn: 15. Ic(Impuls): 4A. Pd (Verlustleistung, max): 30W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -...+150°C. VCBO: 100V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.7V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BD240C. Bestandsmenge aktualisiert am 21/04/2025, 07:25.