Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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BD246C-PMC

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BD246C-PMC. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 3 MHz. Funktion: NF/L. Kollektorstrom: 10A. Pd (Verlustleistung, max): 80W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3P. Transistortyp: PNP. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 115V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BD245C. CE-Diode: ja. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 00:25.

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Widerstand B: ja. BE-Widerstand: PCB-Löten. C(in): TO-247. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 3 MHz. Funktion: Komplementäre Leistungstransistoren. Maximaler hFE-Gewinn: 100. Minimaler hFE-Gewinn: 20. Kollektorstrom: 10A. Ic(Impuls): 15A. Pd (Verlustleistung, max): 80W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Transistortyp: PNP. VCBO: 140V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 140V. Menge pro Karton: 1. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) TIP33C. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS
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