Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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BD335

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BD335. Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 10 MHz. Funktion: NF-L. Kollektorstrom: 6A. Hinweis: >750. Pd (Verlustleistung, max): 60W. Gehäuse: SOT-82. Transistortyp: NPN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 06:25.

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Darlington-Transistor?: ja. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 1 MHz. Funktion: NF-L. Minimaler hFE-Gewinn: 750. Kollektorstrom: 8A. Pd (Verlustleistung, max): 70W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Transistortyp: NPN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. Menge pro Karton: 1. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BD902
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