Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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BD678A

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BD678A. Widerstand B: ja. BE-Widerstand: PCB-Löten. C(in): TO-126. Kosten): SOT-32. Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 10 MHz. Minimaler hFE-Gewinn: 750. Kollektorstrom: 4A. Pd (Verlustleistung, max): 40W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-126. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 60V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BD677A. Gehäuse: TO-126 (TO-225, SOT-32). BE-Diode: NINCS. CE-Diode: ja. Bestandsmenge aktualisiert am 16/01/2025, 12:25.

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Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 10MHz. Funktion: Power Linear und Switching. Minimaler hFE-Gewinn: 750. Kollektorstrom: 4A. Ic(Impuls): 6A. Pd (Verlustleistung, max): 14W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-126F. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-126F. Transistortyp: PNP. VCBO: 80V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2.8V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BD679A. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS
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