Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-126, SOT-32, 80V, 4A - BD680

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-126, SOT-32, 80V, 4A - BD680
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NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-126, SOT-32, 80V, 4A - BD680. NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-126, SOT-32, 80V, 4A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-126. Gehäuse (JEDEC-Standard): SOT-32. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 80V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 4A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Darlington PNP-Leistungstransistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BD680. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 40W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Originalprodukt vom Hersteller Stmicroelectronics. Bestandsmenge aktualisiert am 04/09/2025, 04:56.

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BD682

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NPN-Transistor, -100V, -4A, TO-126. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: -100V. Kollektorstrom: -4A. Geh...
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NPN-Transistor, -100V, -4A, TO-126. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: -100V. Kollektorstrom: -4A. Gehäuse: TO-126. Transistortyp: Darlington-Leistungstransistor. Polarität: PNP. Typ: Darlington-Transistor. Eingebaute Diode: ja. Leistung: 40W
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NPN-Transistor, -100V, -4A, TO-126. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: -100V. Kollektorstrom: -4A. Gehäuse: TO-126. Transistortyp: Darlington-Leistungstransistor. Polarität: PNP. Typ: Darlington-Transistor. Eingebaute Diode: ja. Leistung: 40W
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NPN-Transistor, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 80V. Kollektorstrom: 4A. Gehäuse: TO-126 (TO-2...
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NPN-Transistor, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 80V. Kollektorstrom: 4A. Gehäuse: TO-126 (TO-225, SOT-32). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-126. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 10 MHz. Pd (Verlustleistung, max): 40W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP
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NPN-Transistor, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 80V. Kollektorstrom: 4A. Gehäuse: TO-126 (TO-225, SOT-32). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-126. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 10 MHz. Pd (Verlustleistung, max): 40W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP
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