Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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Halbleiter Transistoren PNP-Bipolartransistoren

NPN-Transistor, -100V, 100V, SOT32 - BD682

NPN-Transistor, -100V, 100V, SOT32 - BD682
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NPN-Transistor, -100V, 100V, SOT32 - BD682. NPN-Transistor, -100V, 100V, SOT32. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: -100V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. Gehäuse: SOT32. Polarität: PNP. Typ: Darlington-Transistor. Leistung: 40W. DC -Kollektor/Basisgewinn hfe min.: 750. Strom max 1: -4A. Information: 40W. Serie: BD682. MSL: +150°C. Max.Voltage IGBT VRSM: NF-L. Pd (Verlustleistung, max): 40W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BD681. Transistortyp: PNP. Collector-Base-Spannung VCBO: -100V. Montageart: Leiterplattendurchsteckmontage. Bandbreite MHz: BD682. Originalprodukt vom Hersteller Stmicroelectronics. Bestandsmenge aktualisiert am 25/07/2025, 16:25.

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