Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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NPN-Transistor, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 80V - BD680-DIV

NPN-Transistor, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 80V - BD680-DIV
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NPN-Transistor, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 80V - BD680-DIV. NPN-Transistor, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 80V. Kollektorstrom: 4A. Gehäuse: TO-126 (TO-225, SOT-32). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-126. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 10 MHz. Pd (Verlustleistung, max): 40W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. Originalprodukt vom Hersteller Div. Bestandsmenge aktualisiert am 08/06/2025, 09:25.

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NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-126, SOT-32, 100V, 4A, 100V. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-126. Gehäuse (JEDEC-Standard): SOT-32. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 100V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 4A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Darlington PNP-Leistungstransistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BD682. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 40W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Grenzfrequenz ft [MHz]: NF-L. Pd (Verlustleistung, max): 40W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BD681. Transistortyp: PNP
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NPN-Transistor, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 80V. Kollektorstrom: 4A. Gehäuse: TO-126 (TO-225, SOT-32). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-126. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. RoHS: ja. Widerstand B: ja. BE-Diode: NINCS. BE-Widerstand: R1 typ=15k Ohms, R2 typ=100 Ohms. C(in): TO-126. Kosten): SOT-32. CE-Diode: ja. Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 10 MHz. Funktion: hFE 750. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 40W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BD679. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP
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NPN-Transistor, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 80V. Kollektorstrom: 4A. Gehäuse: TO-126 (TO-225, SOT-32). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-126. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. RoHS: ja. Widerstand B: ja. BE-Diode: NINCS. BE-Widerstand: R1 typ=15k Ohms, R2 typ=100 Ohms. C(in): TO-126. Kosten): SOT-32. CE-Diode: ja. Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 10 MHz. Funktion: hFE 750. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 40W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BD679. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP
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NPN-Transistor, 4A, 120V. Kollektorstrom: 4A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 120V. Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 10 MHz. Funktion: NF-L. Hinweis: >750. Pd (Verlustleistung, max): 40W. Transistortyp: PNP
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