Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen

BD681

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Set mit 1

BD681. Kollektorstrom: 4A. Transistortyp: Darlington-Leistungstransistor. Polarität: NPN. Typ: Darlington-Transistor. Eingebaute Diode: ja. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: 100V. Leistung: 40W. Gehäuse: TO-126. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 10 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 750. Ic(Impuls): 6A. Pd (Verlustleistung, max): 40W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-126. Transistortyp: NPN. VCBO: 100V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2.5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BD682. Gehäuse: TO-126 (TO-225, SOT-32). Bestandsmenge aktualisiert am 12/01/2025, 22:25.

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