BD906
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BD906. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 3 MHz. Funktion: NF/L. Kollektorstrom: 15A. Pd (Verlustleistung, max): 90W. Transistortyp: PNP. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 45V. Menge pro Karton: 1. CE-Diode: ja. Bestandsmenge aktualisiert am 16/01/2025, 13:25.
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Halbleitermaterial: Silizium. FT: 3 MHz. Funktion: NF/L. Kollektorstrom: 15A. Pd (Verlustleistung, m...
Halbleitermaterial: Silizium. FT: 3 MHz. Funktion: NF/L. Kollektorstrom: 15A. Pd (Verlustleistung, max): 90W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-225. Transistortyp: PNP. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BD911. Gehäuse: TO-126 (TO-225, SOT-32)
Halbleitermaterial: Silizium. FT: 3 MHz. Funktion: NF/L. Kollektorstrom: 15A. Pd (Verlustleistung, max): 90W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-225. Transistortyp: PNP. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BD911. Gehäuse: TO-126 (TO-225, SOT-32)
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