Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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BD912-ST

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BD912-ST. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 3 MHz. Funktion: NF/L. Kollektorstrom: 15A. Pd (Verlustleistung, max): 90W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-225. Transistortyp: PNP. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BD911. Gehäuse: TO-126 (TO-225, SOT-32). Bestandsmenge aktualisiert am 12/01/2025, 19:25.

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Widerstand B: ja. BE-Widerstand: PCB-Löten. C(in): TO-220AB. Kosten): TO-220AB. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 3 MHz. Funktion: Power Linear und Switching. Maximaler hFE-Gewinn: 250. Minimaler hFE-Gewinn: 40. Kollektorstrom: 15A. Ic(Impuls): +150°C. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 90W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Transistortyp: PNP. VCBO: 100V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. Vebo: 5V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BD911. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS
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Widerstand B: ja. BE-Widerstand: PCB-Löten. C(in): TO-220AB. Kosten): TO-220AB. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 3 MHz. Funktion: Power Linear und Switching. Maximaler hFE-Gewinn: 250. Minimaler hFE-Gewinn: 40. Kollektorstrom: 15A. Ic(Impuls): +150°C. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 90W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Transistortyp: PNP. VCBO: 100V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. Vebo: 5V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BD911. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS
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