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Halbleiter Transistoren

BD911

BD911

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250 - 1169	0.66€	0.79€

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BD911. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 3 MHz. Funktion: Power Linear und Switching. Maximaler hFE-Gewinn: 250. Minimaler hFE-Gewinn: 40. Kollektorstrom: 15A. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 90W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Transistortyp: NPN. VCBO: 100V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. Vebo: 5V. Widerstand B: NPN Leistungstransistor. BE-Widerstand: 100V. C(in): 15A. Kosten): 90W. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BD912. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 12/01/2025, 19:25.

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