NPN-Transistor, 8A, TO-220, TO-220AB, 100V - BDX53C

NPN-Transistor, 8A, TO-220, TO-220AB, 100V - BDX53C. NPN-Transistor, 8A, TO-220, TO-220AB, 100V. Kollektorstrom: 8A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. RoHS: ja. Widerstand B: 10k Ohms. BE-Diode: NINCS. BE-Widerstand: 150 Ohms. C(in): TO-220AB. Kosten): TO-220AB. CE-Diode: ja. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 20 MHz. Funktion: Audioverstärker. Maximaler hFE-Gewinn: +150°C. Minimaler hFE-Gewinn: 750. Ic(Impuls): 12A. Hinweis: Komplementärtransistor (Paar) BDX54C. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 60W. Spec info: R1 typ.=10k Ohms, R2 typ.=150 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Komplementäre Leistungs-Darlington-Transistoren. Transistortyp: NPN. VCBO: 100V. Sättigungsspannung VCE(sat): 2V. Vebo: 5V. Originalprodukt vom Hersteller Stmicroelectronics. Bestandsmenge aktualisiert am 07/06/2025, 22:25.