D44VH10

D44VH10. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 50 MHz. Funktion: S-L, Low-sat. Maximaler hFE-Gewinn: 35. Minimaler hFE-Gewinn: 20. Kollektorstrom: 15A. Ic(Impuls): 20A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 83W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 90 ns. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AC. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 100V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.4V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1.2V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. Vebo: 7V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) D45VH10. CE-Diode: ja. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 00:25.