NPN-Transistor, 100mA, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 300V - BF459

NPN-Transistor, 100mA, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 300V - BF459. NPN-Transistor, 100mA, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 300V. Kollektorstrom: 100mA. Gehäuse: TO-126 (TO-225, SOT-32). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-126. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 300V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 5.5pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 90 MHz. Funktion: VID-L. Minimaler hFE-Gewinn: 25. Ic(Impuls): 300mA. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 10W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -...+150°C. VCBO: 300V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Vebo: 5V. Bestandsmenge aktualisiert am 07/06/2025, 18:25.