Menge | exkl. MwSt | inkl. MwSt |
---|---|---|
1 - 4 | 0.96€ | 1.15€ |
5 - 9 | 0.91€ | 1.09€ |
10 - 24 | 0.86€ | 1.03€ |
25 - 49 | 0.81€ | 0.97€ |
50 - 99 | 0.79€ | 0.95€ |
100 - 162 | 0.72€ | 0.86€ |
Menge | U.P | |
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1 - 4 | 0.96€ | 1.15€ |
5 - 9 | 0.91€ | 1.09€ |
10 - 24 | 0.86€ | 1.03€ |
25 - 49 | 0.81€ | 0.97€ |
50 - 99 | 0.79€ | 0.95€ |
100 - 162 | 0.72€ | 0.86€ |
N-Kanal-Transistor, 120mA, 30nA, 15 Ohms, TO-92, TO-92, 200V - BS107. N-Kanal-Transistor, 120mA, 30nA, 15 Ohms, TO-92, TO-92, 200V. ID (T=25°C): 120mA. IDSS (max): 30nA. Einschaltwiderstand Rds On: 15 Ohms. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Spannung Vds(max): 200V. C(in): 85pF. Kosten): 20pF. Kanaltyp: N. Dioden-Tff (25 °C): 8 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 2A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: BS107. Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 16 ns. Td(on): 7 ns. Technologie: ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 21/04/2025, 12:25.
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