Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen

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BUH315D

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Set mit 1

BUH315D. Halbleitermaterial: Silizium. FT: kHz. Funktion: „Hochauflösend“. Maximaler hFE-Gewinn: 9. Minimaler hFE-Gewinn: 2.5. Kollektorstrom: 5A. Ic(Impuls): 12A. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 44W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 400 ns. Tf(min): 200 ns. Gehäuse: ISOWATT218FX. Gehäuse (laut Datenblatt): ISOWATT218. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 700V. Vebo: 10V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Spec info: MONITOR. Bestandsmenge aktualisiert am 15/01/2025, 06:25.

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