NPN-Transistor, 4A, TO-220, TO-220, 800V - BUL216

NPN-Transistor, 4A, TO-220, TO-220, 800V - BUL216. NPN-Transistor, 4A, TO-220, TO-220, 800V. Kollektorstrom: 4A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. Halbleitermaterial: Silizium. Maximaler hFE-Gewinn: 40. Minimaler hFE-Gewinn: 10. Ic(Impuls): 6A. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 90W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 720 ns. Tf(min): 450 ns. Transistortyp: NPN. VCBO: 1600V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 3V. Vebo: 9V. Funktion: Hochspannungsschnellschaltung, zum Schalten von Netzteilen. Menge pro Karton: 1. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 21/04/2025, 17:25.