Menge | exkl. MwSt | inkl. MwSt |
---|---|---|
1 - 4 | 1.88€ | 2.26€ |
5 - 9 | 1.79€ | 2.15€ |
10 - 24 | 1.69€ | 2.03€ |
25 - 49 | 1.60€ | 1.92€ |
50 - 56 | 1.56€ | 1.87€ |
Menge | U.P | |
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1 - 4 | 1.88€ | 2.26€ |
5 - 9 | 1.79€ | 2.15€ |
10 - 24 | 1.69€ | 2.03€ |
25 - 49 | 1.60€ | 1.92€ |
50 - 56 | 1.56€ | 1.87€ |
BUL216. Halbleitermaterial: Silizium. Maximaler hFE-Gewinn: 40. Minimaler hFE-Gewinn: 10. Kollektorstrom: 4A. Ic(Impuls): 6A. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 90W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 720 ns. Tf(min): 450 ns. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Transistortyp: NPN. VCBO: 1600V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 3V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. Vebo: 9V. Funktion: Hochspannungsschnellschaltung, zum Schalten von Netzteilen. Menge pro Karton: 1. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 03:25.
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