Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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BUL312FP

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BUL312FP. Halbleitermaterial: Silizium. FT: kHz. Funktion: Schnelles Hochspannungsschalten. Maximaler hFE-Gewinn: 13.5. Minimaler hFE-Gewinn: 8:1. Kollektorstrom: 5A. Ic(Impuls): 10A. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 36W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 150 ns. Tf(min): 80 ns. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Transistortyp: NPN. VCBO: 1150V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 500V. Vebo: 9V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 17/01/2025, 15:25.

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