Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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NPN-Transistor, 3A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 30 v - 2SD882

NPN-Transistor, 3A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 30 v - 2SD882
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NPN-Transistor, 3A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 30 v - 2SD882. NPN-Transistor, 3A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 30 v. Kollektorstrom: 3A. Gehäuse: TO-126 (TO-225, SOT-32). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-126. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 30 v. BE-Diode: NINCS. Kosten): 45pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 90 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 400. Minimaler hFE-Gewinn: 60. Ic(Impuls): 7A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: D882. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 10W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SB772. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -...+150°C. VCBO: 40V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. Originalprodukt vom Hersteller Inchange Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 26/07/2025, 09:25.

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NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-225, 4mA. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-225. Kollektorstrom Ic [A], max.: 4mA. RoHS: ja. Komponentenfamilie: NPN Leistungstransistor. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-225. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: MJE243G. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 100V. Grenzfrequenz ft [MHz]: 40 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.015W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C
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