Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen

MJE243G

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5 - 9 0.74€ 0.89€
10 - 24 0.70€ 0.84€
25 - 49 0.66€ 0.79€
50 - 99 0.53€ 0.64€
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Set mit 1

MJE243G. Kollektorstrom: 4A. Widerstand B: NPN Leistungstransistor. BE-Widerstand: 100V. C(in): 4A. Kosten): 15W. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 40 MHz. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung, Audio. Maximaler hFE-Gewinn: 180. Minimaler hFE-Gewinn: 40. Ic(Impuls): 8A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 15W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-225. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 100V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.3V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. Vebo: 7V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJE253. Gehäuse: TO-126 (TO-225, SOT-32). BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 12/01/2025, 19:25.

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