Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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BUL45GD2G

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BUL45GD2G. Kosten): 50pF. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 13 MHz. Funktion: Bipolarer NPN-Leistungstransistor mit hoher Geschwindigkeit und hoher Verstärkung. Maximaler hFE-Gewinn: 34. Minimaler hFE-Gewinn: 22. Kollektorstrom: 5A. Ic(Impuls): 10A. Pd (Verlustleistung, max): 75W. RoHS: ja. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO220AB CASE 221A-09. Transistortyp: NPN. VCBO: 700V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.28V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.4V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 400V. Vebo: 12V. Menge pro Karton: 1. Spec info: Built-in Efficient Antisaturation Network. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: ja. Bestandsmenge aktualisiert am 17/01/2025, 15:25.

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Kosten): 2.5pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 13 MHz. Funktion: Anwendungen für Schaltnetzteile. Maximaler hFE-Gewinn: 34. Minimaler hFE-Gewinn: 12:1. Kollektorstrom: 5A. Ic(Impuls): 10A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 75W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 400us. Tf(min): 70us. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 1000V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 450V. Vebo: 9V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS
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